用于低功耗微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4非晶薄膜研究

采用直流磁控溅射方法制备了一种适用于微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4 非晶软磁铁芯薄膜，并对薄膜进行了200摄氏度外加面内横向磁场的真空退火。利用振动样品磁强计（VSM）、X射线扫描仪（XRD）以及扫描电子显微镜（SEM）测试了薄膜的磁滞回线、相组成、表面形貌并进行了成分分析；使用制备得到的薄膜作为双铁芯磁通门的铁芯，测试了磁通门的激励电流、灵敏度和线性范围。结果表明：制备得到的薄膜主要呈非晶态，具有较大的相对磁导率并且磁滞回线在小磁场下出现明显的拐点；用作磁通门铁芯薄膜时，能得到类似使用Co基非晶带材铁芯时的明显的磁通门信号；工作在40kHz时，磁通门传感器能以有效值22mA的激励电流获得2700V/T的输出电压灵敏度。因此，制备得到的薄膜适用于低功耗、高灵敏度微型磁通门传感器