电子束熔炼冶金级硅中杂质钙的蒸发行为

通过双枪电子束熔炼炉熔炼冶金级硅，主要研究了在一定熔炼功率不同熔炼时间下，杂质Ca含量的变化及其蒸发行为，并且讨论了杂质Ca含量与Si剩余率的关系。实验结果表明，熔炼初期杂质Ca含量显著降低，随着熔炼时间的延长，下降趋势逐渐减缓。在硅熔体表面2133 K温度下，杂质Ca的自由蒸发反应遵循一级反应速率方程。杂质Ca的总传质系数为2.64×10-5 m/s,并且杂质Ca从熔体内部迁移到硅熔体/气相界面层是其蒸发过程的速率控制步骤