载流子输运性能对CdZnTe晶体脉冲X射线响应特性的影响

采用生长态高电阻CdZnTe晶体制备出平面电极探测器，室温下测试了其在脉冲X射线作用下的诱导电流曲线。分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程，发现脉冲上升时间约为2 ns，且不受外加偏压影响，而脉冲衰减过程可分为三阶段。利用α粒子结合飞行时间技术研究了CdZnTe晶体的载流子传输特性，分析了结构缺陷的散射和俘获-佉俘获对载流子传输特性的影响。同时对比了不同厚度的CdZnTe探测器在不同电压下对脉冲X射线的响应特性。结果表明：当外加电场强度增加时，诱导脉冲电流曲线的半峰宽呈指数衰减，但当探测器厚度大于0.2 mm时，随着探测器厚度的增加变化不明显。可能是由于材料中结构缺陷的浓度增加，对载流子的俘获和散射作用加剧，严重影响了载流子的传输过程和复合时间