Pb(Hf0.3Ti0.7)O3铁电薄膜的制备与性能研究

摘 要： 采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3Ti0.7)O3(PHT)铁电薄膜，利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能。研究表明：生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的（111）择优取向；PHT薄膜矫顽场（2Ec）为390kV/cm，剩余极化强度（2Pr）为53.1μC/cm2，经1.5×109次翻转后剩余极化强度保持85%；PHT薄膜绝缘性能良好，相对介电常数约为540。PHT薄膜有望应用于铁电随机存储器