埋层应变对溅射生长Ge量子点的影响

摘 要：利用离子束溅射制备双层Ge/Si量子点，通过变化Si隔离层厚度和Ge沉积量研究了埋层应变场对量子点生长的影响。实验中观察到隔离层厚度较薄时，双层结构中第二层量子点形成的临界厚度减小，生长过程提前；此外，随着Ge沉积量的增加，第二层量子点密度维持在一定范围，分布被调制的同时岛均匀长大呈现单模分布。增大隔离层厚度，埋层岛的生长模式在第二层岛生长时得到复制。本文通过隔离层传递的不均匀应变场解释了量子点生长模式的变化