NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究
Keywords: MgO,NiFeCr,各向异性磁电阻,退火
Abstract:
采用磁控溅射制备了NiFeCr(45?)/NiFe(100?)/MgO(40?)/Ta(50?)薄膜，并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高，400℃退火后达到3.02%，之后随着退火温度的升高，磁电阻变化率下降。XRD结果表明，薄膜不仅具有很强的NiFe(111)织构，同时还出现了MgO的(111)衍射峰。随退火温度的升高，MgO(111)衍射峰的强度有所降低
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