绿光发光材料ZnTe的Raman光谱研究

研究了表面处理工艺对ZnTe的Raman光谱的影响，结果表明：ZnTe的LO(Γ) 特征峰对表面处理工艺敏感，该特征峰的强度与半峰宽的比值（I/H）越大，晶体表面晶格完整性越高。对机械抛光的ZnTe晶片依次进行化学抛光、去除表面氧化物，I/H值分别出现不同程度的增加，表面晶格完整性逐渐提高。以514.5 nm激光激发ZnTe，荧光峰掩盖了200～3000cm-1内Raman散射峰，拟合得到ZnTe的禁带宽度是2.255eV