温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响

采用离子束溅射技术，在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品，利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征，结果表明：随着温度升高，量子点密度增大(750 °C生长的量子点密度达到1.85×1010 cm-2)，均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高，Si-Ge互混程度也同时加剧