磁控溅射法在玻璃基片制备VO2薄膜的结构与性能

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了VO2薄膜。采用XRD，AFM和红外光谱仪研究了不同基片温度所得薄膜的结构、光学性能和相变特性。实验结果表明，薄膜的结晶程度随基片温度的增加而增加，并且VO2具有（011）择优取向。基片温度在400℃以上的VO2薄膜均出现较好的相变特性，500℃时的薄膜相变特性最佳。薄膜的红外透过率随着沉积温度的增加而逐渐增加