衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上Zn0.95Co0.05O薄膜的影响

在不同的衬底温度下在n型Si（111）衬底上采用脉冲激光沉积的方法生长了（002）择优取向的具有室温铁磁性的Zn0.95Co0.05O薄膜。X射线衍射显示所生长的薄膜呈六方纤锌矿结构。X射线光电子能谱测试表明薄膜中出现的室温铁磁性不是由于Co团簇产生的。试验中发现薄膜生长过程中产生的间隙锌、氧空位以及晶格缺陷对铁磁性有显著的影响。通过改变衬底温度可以来控制薄膜中间隙锌、氧空位及晶格缺陷的数量，薄膜的铁磁性同时也可以被明显地改变，这是缺陷与薄膜的室温铁磁性相关的直接证据