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- 2019
一种新型SOI绝缘硅复合材料的制备与性能表征DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2019.01.001 Abstract: 提出了一种新型SOI绝缘硅材料及其制备方法。通过高温工艺制备SiO2-Ta2O5-B2O3-RO复合粉体,以其为中间层,将上下两层单晶硅片在700～800 ℃熔凝从而获得Si-insulator-Si 3层结构体。结果表明该样品层间结合紧密、分布均匀,具有良好的高压绝缘性能和介电性能。其绝缘层厚度、深度和性能参数可调,是一种新型的厚膜SOI绝缘硅复合材料
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