[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线在巨磁电阻位移传感器中的应用

采用双槽电沉积法制备了巨磁电阻（Giant Magnetorsistance; GMR）材料[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线阵列，并以其为磁传感器芯片，设计并制备了GMR位移传感器，在不同温度下测试了其灵敏度。研究表明，该GMR位移传感器的输出电压与位移具有较好的线性关系，在10~40°C环境温度内具有良好的稳定性。与[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层膜作传感器芯片相比，以[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线作为芯片时传感器灵敏度更高