HWCVD工艺参数对a-Si:H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究

本文采用HWCVD法双面沉积a-Si:H膜钝化n-Cz-Si片表面，利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a-Si:H薄膜结构及钝化性能的影响。结果表明：（1）薄膜中SiH2键相对SiH键含量随气压升高逐渐减少，随电流增大先减少后增大；（2）热丝衬底间距4.0cm相比7.5cm沉积的a-Si:H薄膜微观结构中SiH2键相比SiH键的比例更高，钝化效果也更好。（3）本研究范围内，工艺参数分别为热丝衬底间距4.0cm时气压1.5Pa，沉积电流21.5A情况下钝化效果最优，钝化后硅片的表面复合速率为2.9cm/s