低剂量Ga+辐照对CoFe/IrMn双层膜结构和磁性能的影响

采用高真空直流磁控溅射的方法制备了结构为//Ta(5nm)/ Co75Fe25(5nm)/ Ir20Mn80(12 nm)/ Ta (8nm)双层膜，通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜(AFM)和振动样品磁强计(VSM)等分析测试手段，研究了低剂量Ga+离子辐照对双层膜结构和磁性能的影响；通过样品在反向饱和场下停留时间研究了低剂量Ga+离子辐照对双层膜的磁稳定性的影响；并利用SRIM2003软件模拟分析了离子辐照后Ga元素在IrMn层中的深度分布。结果表明，低剂量Ga+离子辐照对双层膜中反铁磁层IrMn的<111>方向织构影响甚微；而双层膜的交换偏置场以及界面粗糙度随着Ga+离子辐照剂量的增大而减小；低剂量Ga+离子辐照后双层膜磁稳定性降低