预氧化聚碳硅烷先驱体转化法制备SiC陶瓷介电和吸波性能研究

通过聚碳硅烷(PCS)预氧化后在800～1 200 ℃热解制备了SiC陶瓷,采用傅里叶转化红外光谱(FTIR)与拉曼光谱分别对不同温度交联后PCS及裂解产物进行了表征。并用矩形波导法测试了SiC陶瓷在8.2～12.4 GHz(X波段)频段的复介电常数,利用传输线理论计算了试样的反射率。结果表明,氧化交联过程中PCS通过Si—H键和Si—CH3键与氧反应形成Si—OH键。SiC陶瓷中自由碳有序度随着热解温度的升高而增加,导致复介电常数实部及虚部增加。170 ℃交联,1 200 ℃热解,试样厚度为3.5 mm的SiC陶瓷,吸收峰值为-18 dB,X全波段反射率低于-10 dB,呈现出较好的吸波性能