InAs/GaSb超晶格红外探测器台面的ICP刻蚀研究

采用分子束外延方法在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格红外薄膜材料，为获得台面结构，采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和Cl2/Ar刻蚀气体，分别研究了不同刻蚀时间、不同气体比例及不同功率对GaSb、InAs及InAs/GaSb超晶格刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明：由于刻蚀产物InClx的低挥发性阻挡了Cl2的刻蚀。InAs的刻蚀速率低于GaSb；Cl2比例在20%～40%时，刻蚀表面粗糙度最小，明显低于湿法腐蚀造成的表面损伤，有助于形成良好的欧姆接触和减小器件的表面漏电流