C/SiCw复合体的制备及其吸波性能研究

以酚醛树脂为碳源，正硅酸乙酯为硅源，采用凝胶-碳热还原法制备C/SiCw复合体，考察了制备过程中催化剂、碳热还原温度等工艺条件对制备的C/SiCw复合体结构和性能的影响。通过组分分析、XRD、SEM和电磁参数测定等方法，研究了制备的C/SiCw复合体的组成结构与吸波性能的关系。结果表明，碳硅比为3:1的前躯体，在FeCl3催化作用下，通过1500℃的高温反应制备的C/SiCw-50复合体具有较好的吸波性能，在2-18GHz频率范围内，其最大反射损耗为-27.2dB，反射损耗低于-5dB的频率范围为6.3-10.8GHz，频宽达4.5GHz