MoS₂/GO-g-C₃N₄-ZnO三元复合纳米材料的制备及可见光光催化性能研究^*

通过水热法制备出基于20%(质量分数)g-C3N4-ZnO的高效的三元复合材料0.2%(质量分数)MoS2-g-C3N4-ZnO(MCZ)和15%(质量分数)GO-g-C3N4-ZnO(GCZ)。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、光致荧光光谱(PL)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、瞬态光电流响应对样品进行表征,研究了MoS2或GO的引入对ZnO晶体结构、形貌、成分和光催化活性的影响。结果表明,MCZ和GCZ均保持ZnO的六方纤锌矿结构,且g-C3N4为类石墨相。GO的引入可以抑制ZnO晶粒的生长,而MoS2的引入可以促进ZnO晶粒的生长。GCZ复合材料中存在明显的电子转移现象,抑制20%(质量分数)g-C3N4-ZnO 中光生电子空穴对的复合,提高其可见光催化性能。GCZ复合光催化剂的光催化活性明显优于20%(质量分数)g-C3N4-ZnO和MCZ