择优取向SnS₂纳米片的可控制备和储钠性能研究

作为储钠负极材料,二硫化锡(SnS2)来源广泛,且具有较高的理论比容量(837 mAh/g)。然而由于其晶体结构的各项异性,充放电过程中Na+嵌入和脱出存在方向性,因此,可控调节SnS2片层材料生长方向,并深入研究生长取向对电化学性能的影响机理至关重要。采用水热法,于SnS2材料生长过程中引入表面活性剂聚乙二醇(PEG),制备具有不同生长取向的SnS2片层材料,其中以(101)面择尤生长的SnS2纳米片可以提供较丰富的电化学反应活性位点以及快速的Na+迁移路径,从而加快电极反应动力学,因此电极表现出优异的倍率特性:在0.1 A/g电流密度下的可逆比容量为367 mAh/g,在更大电流密度2 A/g下的比容量依然有284 mAh/g