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- 2018
高压烧结AlN陶瓷的残余应力研究DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.07.020 Keywords: AlN陶瓷,高压烧结,残余应力,拉曼光谱 Abstract: 利用六面顶技术,在5.0 GPa/1 700 ℃/75～125 min条件下高压烧结制备了无烧结助剂的AlN陶瓷块体材料。利用微区拉曼光谱对其残余应力进行了测量,研究了烧结时间对其残余应力的影响,并探讨了残余应力产生的原因及消除的方法。研究表明,微区拉曼光谱是一种测量AlN高压烧结体残余应力的有效方法;在5.0 GPa/1 700 ℃/75 min条件下高压制备的AlN陶瓷存在着1.4 GPa的残余压应力,且残余应力会随着烧结时间的延长而增大;高压烧结AlN陶瓷产生残余应力的主要原因是AlN晶格产生畸变,这种畸变是长时间施加高压产生的,退火是消除AlN高压烧结体的有效手段
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