NiO/g-C3N4修饰电极的制备及电催化检测抗坏血酸

利用三聚氰胺制备石墨相的氮化碳，即g-C3N4，以氯化镍和g-C3N4为基础物质采用电沉积方法制备复合化 学修饰电极。通过对裸电极、NiO/GCE、g-C3N4/GCE和NiO/g-C3N4/GCE对抗坏血酸的催化效果的比较，发现NiO和 g-C3N4的复合修饰电极对抗坏血酸具有良好的电催化氧化作用。扫描速率在70～200 mV/s范围内，峰电流与扫描速 率呈良好的线性关系：Ipa=－34.14－1.167v，R=0.998；Ipc=53.42＋0.357 8v，R=0.982。峰电位随扫描速率增大有一 定的偏移，说明该修饰电极的氧化还原过程受表面控制。当抗坏血酸的质量浓度介于0.017 6～22.88 μg/mL时，其 氧化峰电流与质量浓度具有良好的线性关系，方程为：Ipa=－1.435＋2.900C，R=0.998，检出限为0.008 8 μg/mL。该 传感器的选择性、重复性和稳定性良好，可用于果汁中抗坏血酸的检测