K2S2O8强化g-C3N4薄膜电极光电催化降解Cu(CN)32-并同步回收Cu

采用高温液相生长法制得g-C3N4薄膜电极并作为光阳极，以石墨毡作为阴极，建立了光电催化系统.通过对比光电催化体系、K2S2O8体系以及外加K2S2O8到光电催化体系，发现在光电催化系统下外加K2S2O8可以有效地提高光电催化降解Cu（CN）32-的效率，并实现了Cu在阴极上的有效回收.探究了K2S2O8投加量对CN-降解率和Cu回收率的影响，发现当K2S2O8浓度为1 mmol·L-1，偏压为1.0 V时，CN-的去除率和Cu回收率分别达到86.23%和82.11%.通过SEM、EDS和XPS分析阴阳极表面形貌，发现部分Cu+被氧化以CuO的形式存在于沉淀和阳极表面，大部分铜离子通过电化学还原作用以单质铜的形式沉积于阴极表面，铜离子有效地从体系中去除.电子顺磁共振及淬灭实验分析表明，CN-的氧化去除是硫酸根自由基（SO4·-）氧化和非自由基氧化共同作用