低温与光对黄瓜幼苗子叶光合电子传递活性的影响

25-30℃和30#mu#mol m~(-2)S~(-1)光下培养的黄瓜幼苗, 在黑暗下经1-7℃处理24h或5℃处理24-72h; 光合电子传递活性受不同程度的抑制; 其抑制部位主要在PSⅡ氧化侧: 随温度的降低和时间的延长, 抑制部位可发展至PSⅡ及之后的电子递体上, 但尚未影响PSI的活性。160#mu#mol m~(-2)s~(-1)的光强加重低温对电子传递活性的抑制, 光强越高, 则加重的程度越高; 抑制部位从PSⅡ氧化侧发展至PSⅡ反应中心以及PSI。图8表2参24