无定形晶种引导三次生长制备完备性TAPO-5膜

摘要： TAPO-5膜可以通过三次生长法制备。它的完备性与所用晶种以及膜的多晶结构密切相关。393 K下晶化所得无定形晶种有利于引导制备完备性TAPO-5膜。然而, 晶态TAPO-5晶种引导制备的TAPO-5膜存在大量的裂纹(即晶界缺陷), 这破坏了膜的完备性。这些不同结果可以通过SEM、XRD 和单组分气体渗透(He)测试进行说明。它与铺展润湿法所形成的晶种层的不同形式有关。无定形晶种层的典型特征是晶种分散于载体的大孔缺陷中。然而, 晶态TAPO-5将以连续晶种层的形式存在。因此, 无定形晶种更适合引导制备完备性TAPO-5膜。