流延法制备片式CaCu3Ti4O12陶瓷及其性能研究

摘要： 片式CaCu3Ti4O12陶瓷由于其巨介电效应, 用于制备多层陶瓷片式电容具有重大意义。通过水基流延法并在不同的烧结温度下制备的片式CaCu3Ti4O12陶瓷具有优异的介电性能。其中在1080℃下烧结的样品在保持巨电容率(98605)的同时, 降低了介电损耗, 其值只有0.028, 远低于其他报道的损耗值。同时, 测试了CCTO陶瓷薄片的复阻抗图谱, 讨论了CCTO陶瓷的特殊的电学性能。实验结果表明, 通过流延成型制备的CCTO陶瓷薄片在保持巨电容率的同时具有很低的介电损耗, 这为CCTO陶瓷在微电子工业上的应用提供了可能性。