线型和带型α-Si3N4准一维结构的形成机理和表征

摘要： 采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-Si3N4准一维结构.其中线型α-Si3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃)，而带型α-Si3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明,制备的线型和带型α-Si3N4准一维结构均为单晶；线型α-Si3N4直径约为100~300nm,长为几十微米；而带型α-Si3N4厚约30nm,宽度在300nm~2μm之间，长度为几微米到几十微米.从晶体生长热力学及动力学方面讨论了线型和带型α-Si3N4准一维结构的生长过程和分区沉积的原因.结果表明，较高的温度和过饱和度有利于形成带型准一维结构.  