高银离子浓度非晶质快离子导体的合成

摘要： 高能球磨技术是一种有效的合成非晶质材料、纳米材料的方法,本研究利用高能球磨技术制备了Ag2S含量为80％的非晶质快离子导电材料,研究表明:当研磨时间为12～20h可导致非晶质相的形成.这种非晶质材料具有很高的电导率,其中20h研磨样品的室温电导率最高,为296×100Sm-1.进一步研磨致使部分Ag8SiS6晶体相析出,材料的电导率有所下降.利用直流极化技术对这些样品电子电导率测定结果表明:非晶质样品、(研磨时间长于27h的)复相样品以及Ag8SiS6晶体的银离子迁移率为1.