退火对Al-Sb多层薄膜的影响

摘要： 采用直流磁控溅射法制备Al和Sb交替层,在真空环境下进行高温退火后得到了AlSb多晶薄膜. 通过X射线衍射（XRD）、霍尔效应、暗电导率温度关系以及透反射光谱研究了薄膜的结构、电学和光学性质. 结果表明,退火后形成的AlSb多晶薄膜呈立方相,沿（111）择优取向,且导电类型是P型,载流子浓度为1019cm-3,吸收系数在可见光波段大于104cm-1. 样品在580℃退火后,间接跃迁光能隙为1.64eV,且升温电导激活能为0.01eV和0.11eV. 此方法制备的AlSb多晶薄膜应用于TCO/CdS/AlSb/ZnTe:Cu/Au结构的太阳能电池中, 得到了107mV的开路电压.