具有立方晶核ZnSe四足纳米晶的制备与表征

摘要： 纳米材料的本征性质与其结构密切相关，在纳米尺度操控材料并表征其结构是纳米科学与技术的关键。II–VI半导体ZnSe是重要的电子、光电子材料，采用热蒸发法制备了一种四足结构ZnSe纳米晶，通过高分辨透射电子显微镜对这种四足ZnSe纳米晶的晶体结构进行了表征。该ZnSe纳米晶由一个四面体的立方晶核和四个沿[001]方向生长的六方相分枝构成。本文对这种ZnSe纳米晶的形貌和结构进行了讨论，证明了在ZnSe纳米晶内两种晶相的共存。根据ZnSe的结晶学特性和晶相的温度稳定性，解释了这种四足结构纳米晶的生长机制：ZnSe的四面体立方晶核在高温区域形成后，ZnSe蒸汽在低温区继续沉积在晶核上形成四个六方相的分支足，最终形成了具有立方晶核的ZnSe四足纳米晶。