激光诱导击穿光谱测量重掺硅中的氧含量

摘要： 利用一台高能脉冲激光器和一个光纤耦合的CCD光谱仪构建了激光诱导击穿光谱仪(LIBS), 并用它测量了重掺硅片中的氧含量. 硅中的氧含量通过LIBS谱中的OI(777nm)谱线和SiI(288nm)谱线的强度比值OI/SiI获得. 为了确定氧含量的绝对值, 选定了4个轻掺杂的硅样品, 分别利用业界通用的傅利叶变换红外吸收光谱(FTIR)和LIBS对其中的氧含量进行了测量, 由此得出了利用LIBS确定硅中氧含量的定标曲线, 并根据该定标曲线成功地测出了几个重掺硅片中的氧含量.