溅射气压对直流磁控溅射ZnO:Al薄膜的影响

摘要： 采用直流磁控溅射法在玻璃基片上沉积ZnO:Al(AZO)薄膜, 溅射气压为0.2~2.2 Pa. 通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针和紫外–可见分光光度计对AZO薄膜的相结构、微观形貌和电光学性质进行了表征. 结果表明: 薄膜的沉积速率随着溅射气压的增大而减小, 变化曲线符合Keller-Simmons模型; 薄膜均为六角纤锌矿结构, 但择优取向随着溅射气压发生改变; 溅射气压对薄膜的表面形貌有显著影响; 当溅射气压为1.4 Pa 时, 薄膜有最低的电阻率(8.4×10-4 Ω·cm), 高的透过率和最高的品质因子Q.