正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究

摘要： 采用钒掺杂半绝缘6H-SiC衬底, 以Ni/Au为接触电极制备了一系列正对电极结构型光导开关, 对SiC光导开关进行了不同外加电压、激发光强、激发光波长条件下的测试, 着重研究了SiC光导开关的光电吸收效应和光电响应性能. 实验结果表明, 532 nm的激光激发的脉冲信号宽度远小于1064 nm的激光激发的脉冲信号宽度, 半绝缘6H-SiC衬底对532 nm激光的吸收系数在0.601~0.692 mm–1之间; 采用532 nm的激光激发光导开关, 获得了纳秒量级的响应信号; 流经开关的瞬态电流随着外加电压和激发光能量的增加而增大, 随着衬底厚度的增加而减小.