应变对四方相BaTiO3缺陷及极化的影响

摘要： 采用第一性原理方法, 模拟了应变对四方相BaTiO3(BTO)空位形成能的影响, 并计算了应变和双空位共同作用下BaTiO3体系的极化. 计算结果表明, 应变改变了空位形成能, 且在–3%到3%的应变范围内, 氧空位的形成能逐渐减小, 亦即压应变抑制了氧空位的形成, 这与Ti–O键的变化有关. 此外压应变在改变双空位形成能的同时, 增大了体系的极化和极化偏移, 对于1A和2A组合的双空位即使在–3%的应变下其极化偏移也只有1 μC/cm2和0.3 μC/cm2, 而极化偏移是印记效应的表现, 因此应变对印记效应的影响很小, 可以忽略.