铋膜电极阳极溶出伏安法检测痕量Cd金属

摘要： 镉氧化产生的溶出电流与样品中Cd2+的浓度有关。本研究通过方波阳极溶出伏安法(SWASV)在活化铋膜电极(Activated BFE)上对低浓度μg/L水平的Cd(II)进行测定。通过电化学方法对电极进行初步改性, 然后电沉积制备铋膜再次对电极进行改进, 从而增强了对痕量目标Cd2+的敏感性。对改性前后的玻碳电极(GCE)表面进行SEM、CV、EIS和SWV的表征。为了将这种伏安法传感器应用于含有低浓度Cd2+的实际样品中, 对检测Cd2+的实验参数进行了研究。使用选定的条件, 在10 min的预富集条件下Cd2+的检测限为1 μg/L。