(Bi0.85Sb0.15)1-xAsx的电输运和红外光学特性研究

摘要： 采用熔融法制备了(Bi0.85Sb0.15)1-xAsx合金, 用X射线衍射和电子能谱仪进行物相和组份表征, 随As掺杂量的增加, 晶胞体积收缩,名义掺杂浓度低于8%的样品没有出现杂相。在温度T =100 K以下, 母体Bi0.85Sb0.15的直流电阻温度关系呈现半导体特性, 而(Bi0.85Sb0.15)0.95As0.05在12~300 K范围都显示金属性。从红外反射光谱可知, Bi0.85Sb0.15的等离子边在远红外区且随温度下降向低频移动, 是窄带隙半导体的热激发行为。室温下(Bi0.85Sb0.15)0.95As0.05的自由电子等离子频率相比母体移动并不明显, 但是散射率增大, 在中红外600~2000 cm-1区间光电导谱比Bi0.85Sb0.15高, 经分析可知是源于带尾态的出现。综合对电输运和红外光谱的分析可知, (Bi0.85Sb0.15)0.95As0.05的费米能级应处于扩展态区, 而并非定域态。