Si3N4/FePd/Si3N4薄膜的晶体结构和磁性能研究

摘要： 采用磁控溅射的方法制备了Si3N4/FePd/Si3N4三层膜, 研究了非磁性材料Si3N4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明, 热处理后Si3N4分布在FePd纳米颗粒之间, 抑制了FePd晶粒的生长, 与纯FePd薄膜相比, Si3N4/FePd/Si3N4薄膜的颗粒明显得到细化; 通过添加Si3N4层, FePd薄膜的晶体学参数c/a从0.960减小到0.946, 表明Si3N4可以有效促进FePd薄膜的有序化进程, 同时提升了矫顽力和剩磁比, 分别提高到249 kA/m、0.86; 随着600℃退火时间的进一步延长, 添加Si3N4的薄膜磁性没有迅速下降, 在较宽的热处理时间范围内磁性能保持在比较高的水平, 提高了抗热影响的能力。Si3N4作为插入层对FePd薄膜的磁性能具有较大的提升作用, 这对磁记录薄膜的发展具有重要意义。