垂直排列ReS2(1-x)Se2x合金纳米片的控制合成及带隙调控

摘要： 二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性, 形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO2/Si衬底上生长了垂直排列ReS2纳米片材料, 硒化处理后得到ReS2(1-x)Se2x合金纳米片, 并研究了硒化温度(700、850 和 920℃)及硒化时间(0.5、1和1.5 h)对ReS2(1-x)Se2x合金纳米片形貌及组分的影响。XPS元素定量分析及紫外-可见-近红外吸收光谱研究表明ReS2(1-x)Se2x样品中Se含量可以在x=0(纯ReS2)到x=0.86之间调变, 相应材料的带隙可从1.55 eV (800 nm)调变到1.28 eV (969 nm)。SEM结果显示ReS2(1-x)Se2x纳米片的结构受到硒化温度和硒化时间的影响, 硒化温度升高和硒化时间延长会破坏纳米片的垂直结构。上述结果表明本研究成功合成了垂直排列ReS2(1-x)Se2x合金纳米片, 该材料在电化学催化、功能电子器件和光电子器件方面具有潜在应用价值。