全范围掺杂调制强黄色发光Gd0.5-yTb1.5REyW3O12 (RE=Eu, Sm)荧光粉的研究

摘要： 黄光荧光材料在近紫外(NUV)芯片激发的白光发光二极管(W-LED)的制造中起重要作用。在本研究中, 通过在Gd2W3O12基质中共掺Tb 3+/Eu 3+或Tb 3+/Sm 3+, 从而获得较强的黄光发射。由于Gd 3+的有效激发通常在深紫外区, 在Gd2W3O12中并不会被382 nm的紫外光激发, 因此Gd 3+对Tb 3+/Eu 3+、Tb 3+/Sm 3+共掺杂的黄光发射并无影响。而Tb 3+与Gd 3+具有相似的离子半径, Tb 3+在全浓度范围内可以对Gd 3+进行取代。当Tb 3+离子掺杂浓度为75mol%时, 该体系绿光的发射强度达到最强, 对应的内量子产率(IQE)为37.6%。在最佳Tb 3+掺杂浓度下, 通过引入可以被近紫外光有效激发的Eu 3+或Sm 3+, 在Gd2W3O12基质中实现Tb 3+/Eu 3+或Tb 3+/ Sm 3+共同掺杂, 得到了高亮度的黄色发光, IQE分别达到39.6%和47.8%。利用制备的Gd0.494Tb1.5Eu0.006W3O12和Gd0.494Tb1.5Sm0.006W3O12黄光荧光粉与NUV-蓝色芯片成功组装了W-LED器件。由此可见, Gd0.5-yTb1.5REyW3O12 (RE=Eu, Sm)荧光粉有望用于组装W-LED器件。此外, 全范围掺杂法可用于其他体系以获得高效的荧光粉。