静电纺丝制备La3Si8O4N11: Ln(Ln=Ce3+、Sm3+)纳米纤维及其发光性能研究

摘要： 采用静电纺丝结合氨气高温气相还原的方法制备了Ce3+掺杂和Sm3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维和微米带薄膜。XRD、FE-SEM、EDX和PL等测试方法对材料进行表征。样品在1400℃下保温9 h后的XRD图谱与La3Si8O4N11的标准卡片吻合, Sm3+和Ce3+的掺杂没有改变La3Si8O4N11的晶型。样品在宏观上仍保持薄膜状态。在343 nm附近紫外光的激发下, Ce3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维在450 nm 附近呈现出一个宽发射峰来自于Ce3+ 5d-4f电子跃迁的发射。Ce3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维的衰减曲线为双衰减曲线, 荧光寿命分别为8.27和32.72 ns。而Sm3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维在409 nm的近紫外光的激发下, 在575、600、610和650 nm处存在四个尖锐的窄峰来自于Sm3+的4f-4f电子跃迁的发射。