ZnSe单晶CVT法生长与系统优化

摘要： 采用热力学数值计算的方法, 分析了ZnSe-I2、H2、HCl和NH4Cl化学气相输运系统的特性. 对比计算结果表明, ZnSe-NH4Cl系统具有压力高、输运反应焓变适中的特点. NH3分解产生的H2起着调节输运组分H2Se分压的作用. 以ZnSe-I2输运系统中实际输运组分分压值为参考, 确定了ZnSe-NH4Cl系统中单晶生长工艺参数范围: 温度在1000℃左右, NH4Cl的浓度范围在0.5~1.0mg/mL之内. 采用该工艺生长了尺寸约为8mm×6mm×4mm的ZnSe单晶, 生长态(111)面摇摆曲线半峰宽为60.48’’, 蚀坑密度(EPD)为(4.5~5.0)×104/cm2.