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Keywords: 二氧化钨,气敏材料,化学沉淀法,硫化氢
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摘要: 采用化学沉淀法制备了xwt%SiO2-WO3(x=0,3,5,10,15)粉体材料,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,探讨了掺杂量、元件工作温度与WO3气敏性能的关系。研究发现:SiO2的掺杂提高了WO3粉体材料对H2S气体的灵敏度,其中掺杂量为5%的烧结型气敏元件在180℃下对H2S气体有较高的灵敏度和选择性;本文还对WO3的H2S气敏机理进行了探讨。
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