碳毡中SiC纳米线的制备

摘要： 采用国产炭素墨水与少量硅微粉混合的液体充分浸渍聚丙烯腈(PAN)基碳毡并烘干后, 在1450℃、真空条件下与硅微粉的气相产物发生碳热还原等反应, 在碳毡内部制备出大量SiC纳米线. 此纳米线多有弯曲形貌, 其线径范围为25~150nm, 可测轴向线长达15μm以上. 另有大量SiC的膜、纳米团絮、纳米颗粒等结构体存在. 对烧结试样做了XRD、SEM、TEM的表征, 初步研究了其组成结构、微观形貌及纳米线的生长机理.