高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度

摘要： 利用高分辨X射线衍射方法, 分析了在4H-SiC(0001)面上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的GaN薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数, 通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响, 从而获得GaN薄膜的螺位错密度和刃位错密度分别为4.62×107 cm-2和5.20×109 cm-2, 总位错密度为5.25×109 cm-2。