CVD SiC涂层对3D C/SiC氧化行为的影响

摘要： 采用两种不同沉积速度的等温减压化学气相沉积在3D C/SiC上制备了多层CVD SiC涂层. 利用扫描电镜对涂层表面和断面进行显微分析, 考察了涂层在1300℃下进行恒温氧化的防 护效果. 慢速减压化学气相沉积能够对多层CVD SiC涂层的涂层间隙缺陷实现有效控制, 所制备的多层涂层可以消除涂层间隙, 连贯的结合为一整体, 能显著提高涂层防护效果, 材料在1300℃ 空气中氧化30h后的失重率可控制在1%以下.