低温烧结陶瓷BiMg2VO6的微波介电性能

摘要： 通过传统的固相反应方法制备了低温烧结微波介质陶瓷BiMg2VO6, 研究了该陶瓷与银的化学兼容性、物相、形貌及在720~840℃内的密度和微波介电性质, 并测试了陶瓷的红外反射光谱。结果表明: 陶瓷在780℃条件下与银共烧不发生反应, 相对密度大于93.8%。在780℃条件下烧结2 h得到的陶瓷具有最好的微波介电性能: 介电常数为13.4, Q×f值为15610 GHz (f = 8.775 GHz), 温度系数为-87.2×10-6/℃。红外反射谱数据处理显示, BiMg2VO6的光频介电常数ε∞ = 3.4, 微波频段的外推值为13.5。BiMg2VO6陶瓷好的微波介电性能和低的烧结温度, 使其有望用作新的低温共烧陶瓷。