室温下金属铝膜的霍尔效应初步研究

采用真空蒸发镀膜法制备了金属铝薄膜，在室温下，用四探针法测量了样品的电阻率和霍尔系数。结果表明，制成的金属铝膜，电阻率由块体材料的10-8Ω·m 增大到薄膜样品的10-5Ω·m；霍尔系数由块体材料的10-11m3/C数量级左右增大到10-4m3/C数量级；电阻率和霍尔系数随着金属铝膜厚度的减小而逐渐增大。