激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率

以硅烷SiH4和乙烯C2H4为反应原料 ,采用激光诱导化学气相沉积法 (LICVD)制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体。用化学分析、X射线衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM )及比表面积 (BET)等分析测试手段对粉体进行了表征 ,结果表明粉体中SiC含量高于98% ,平均粒径为 20nm ,晶体结构为β-SiC ,粉体产率大于200g/h ,粉体中氧含量低于1% ,且主要是表面的吸附氧 ;从能量和反应气流量两个方面对粉体产率进行了理论分析 ,在此基础上推导出了粉体产率公式 ,与实际粉体产率基本一致。