L-苏氨酸分子印迹传感器的制备及应用

采用电化学方法制备了纳米银/聚槲皮素修饰充蜡石墨电极(Ag/Qu/WGE)。以L-苏氨酸(L-Thr)为模板分子，将一定量的壳聚糖,L-Thr和Nafion的混合液涂布在Ag/Qu/WGE上，采用恒电位法电化学清洗除去模板分子L-Thr，得到基于壳聚糖/纳米银/聚槲皮素的L-Thr分子印迹复合膜修饰电极(TMIP/WGE)。采用场发射扫描电镜、红外光谱分析、X射线光电子能谱和电化学技术表征了TMIP/WGE的形成。TMIP/WGE对L-Thr具有良好的电催化氧化作用，可用于L-Thr的快速、灵敏检测，L-Thr的氧化峰电流(1.45 V)和其浓度在0.1~1.0 μmol/L范围内呈良好的线性关系，检出限(3σ)为0.01 μmol/L。该电极已成功用于苏氨酸发酵液中L-Thr的检测