ZnS/ZnO异质结构的制备及其光催化性能

以醋酸锌，硫脲为原料，采用简单的一步溶剂热法合成了花状ZnS微球，并分别在550、600和650℃下进行高温氧化处理，获得了ZnS/ZnO异质结构半导体材料。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱仪（EDS）、表面积分析仪、拉曼光谱仪（Raman）和紫外可见吸收光谱仪(UV-vis)对材料的形貌、结构、比表面积和光学性质进行了测定，并以罗丹明B(RhB)为模型污染物考察了样品的光催化性能。结果表明：原位合成的样品为立方相ZnS微球，经过550℃高温氧化1h后，由于O原子的进入，生成少量ZnO，经过600℃高温氧化1h后形成了II型异质结构ZnS/ZnO，经过650℃高温氧化1h后，样品基本上成为ZnO。随着高温氧化温度的升高，样品的禁带宽度整体呈下降趋势。光催化结果显示，ZnS/ZnO异质结构具备最优的光催化性能，紫外光照射40分钟，RhB降解率达到98.5%