InAs/GaSb II类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应

本文研究了InAs/GaSb II 类超晶格长波探测器的γ 辐照效应。在60Co源γ 辐照下器件的电流-电压(I-V)特性并未随辐照剂量的增大而发生显著的变化,100Krad (Si)辐照剂量下的零偏电阻相较辐照前的减小率仅为3.4%,表明该探测器具有很好的抗辐照性能。结合不同辐照剂量下的实时I-V特性曲线和辐照停止后器件暗电流随时间的演化情况,对辐照所带来的器件性能的损伤以及微观损伤机理进行了分析。发现零偏压和小反向偏压下,辐照开始后电流即有明显增大,辐照损伤以暂态的电离效应为主导,器件性能可以在很短时间内恢复。而大反向偏压下器件暗电流的主导机制为直接隧穿电流,辐照所引入位移效应的影响使得暗电流随辐照剂量增大而减小,损伤需通过退火效应缓慢恢复,弛豫时间明显长于电离效应损伤